Texas Instruments ra mắt chip siêu nhỏ, bé bằng hạt tiêu

Texas Instruments (TI) vừa giới thiệu một vi điều khiển (MCU) mới, được mệnh danh là "MCU nhỏ nhất thế giới" tại triển lãm Embedded World 2025. Chiếc chip MSPM0C1104 siêu nhỏ này chỉ có kích thước 1.38 mm², tương đương một hạt tiêu đen.

Rò rỉ thông tin chip Snapdragon X2 thế hệ mới: 18 nhân, RAM 48GB và SSD 1TB?

Thông tin rò rỉ từ Đức cho thấy Qualcomm đang phát triển chip Snapdragon X2 thế hệ mới cho PC Windows với nhiều cải tiến đáng kể. Điểm đáng chú ý nhất là số lượng nhân xử lý có thể lên tới 18 nhân Orion V3, tăng 50% so với thế hệ chip hiện tại. Điều này hứa hẹn mang lại hiệu năng vượt trội, đặc biệt là cho phân khúc laptop cao cấp và máy tính để bàn.

34 lỗ hổng nghiêm trọng trong trình điều khiển Windows, cho phép kẻ tấn công chiếm quyền điều khiển hoàn toàn thiết bị

Takahiro Hauryama, một nhà nghiên cứu bảo mật cấp cao tại VMware Carbon Black, đã phát hiện và ghi nhận 34 lỗ hổng trong trình điều khiển cho các thiết bị cũ trong Windows Driver Model (WDM) và Windows Driver Framework (WDF). Một số trong những lỗ hổng này thuộc về, nhưng không giới hạn ở, AMD, Intel, Nvidia, Dell và Phoenix Technologies.

Western Digital chia tách mảng kinh doanh bộ nhớ flash và ổ cứng thành hai công ty độc lập

Western Digital hôm nay đã thông báo rằng họ kế hoạch chia tách mảng kinh doanh bộ nhớ flash và ổ cứng thành hai công ty độc lập. Thông tin này được đưa ra chỉ vài ngày sau khi một đề xuất sáp nhập với đối thủ cạnh tranh về bộ nhớ Kioxia thất bại vào cuối tuần trước. Theo thông cáo báo chí của WD, động thái này sẽ "giúp mỗi thương hiệu thực hiện phát triển công nghệ và sản phẩm sáng tạo" và "tận dụng các cơ hội tăng trưởng độc đáo". Tuy nhiên, theo Reuters, nhà đầu tư hoạt động Elliott Management (được cho là nắm giữ gần 1 tỷ USD cổ phần của công ty) cũng đã gây sức ép mạnh mẽ để chia tách.

Thỏa thuận sáp nhập giữa Western Digital và Kioxia bị hủy bỏ vì sự phản đối của SK Hynix

Western Digital và Kioxia, nắm giữ vị trí thứ tư và thứ hai trên thị trường bộ nhớ flash NAND toàn cầu, đã lên kế hoạch hợp nhất các hoạt động NAND của họ dưới một mái nhà để tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới và nâng cao khả năng cạnh tranh và lợi nhuận. Việc sáp nhập được coi là một động thái chiến lược để đối đầu với vị thế thống lĩnh thị trường của Samsung Electronics bằng cách tận dụng các nguồn lực và năng lực kết hợp của hai công ty, đồng thời loại bỏ sự cạnh tranh giữa các công ty đồng sở hữu cơ sở sản xuất và cùng phát triển bộ nhớ flash NAND.

Kioxia và Western Digital sắp hoàn tất việc sáp nhập, tạo ra gã khổng lồ bộ nhớ flash

Kioxia và Western Digital Corp. đang trên đà hoàn tất việc sáp nhập, dự kiến sẽ được thống nhất sớm nhất là trong tháng này, theo Kyodo News. Sự hợp nhất này sẽ đưa công ty trở thành nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND lớn nhất thế giới. Cấu trúc sở hữu được đề xuất của tập đoàn mới đã được lên kế hoạch tỉ mỉ. Các cổ đông của Western Digital dự kiến sẽ nắm giữ đa số cổ phần, vượt hơn 50%, trong khi phần sở hữu còn lại sẽ được phân bổ cho các cổ đông của Kioxia, bao gồm một khoản đóng góp đáng kể từ Toshiba Corp. Ban đầu, các vị trí lãnh đạo và điều hành dự kiến sẽ do nhóm của Kioxia thống trị, nhưng điều đó dự kiến sẽ thay đổi theo thời gian.

Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

Samsung Đẩy Mạnh Phát Triển Công Nghệ V-NAND Thế Hệ Thứ 9 Với Hơn 300 Lớp

Là nhà cung cấp bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới, Samsung có những kế hoạch lớn cho sự phát triển của công nghệ V-NAND (công nghệ 3D NAND của công ty) và đã chia sẻ một số thông tin trong tuần này. Công ty xác nhận rằng họ đang trên đà sản xuất bộ nhớ V-NAND thế hệ thứ 9 với hơn 300 lớp vào năm 2024 và cho biết rằng nó sẽ có số lớp hoạt động cao nhất trong ngành.

UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

Huawei sử dụng chip và bộ nhớ SK hynix trong Mate 60 Pro bất chấp lệnh cấm của Mỹ

Một bài teardown của điện thoại thông minh Mate 60 Pro mới ra mắt của Huawei đã tiết lộ việc sử dụng chip Kirin 9000s, một chip 7nm bí ẩn được sản xuất tại SMIC. Và hiện nay một bí ẩn mới đã nảy sinh - làm thế nào Huawei có được bộ nhớ và bộ nhớ flash mang nhãn hiệu SK hynix giữa lệnh cấm xuất khẩu của Hoa Kỳ?

Ổ cứng (HDD) có thể sử dụng ít năng lượng hơn SSD

Công ty Seagate đã tuyên bố rằng ổ cứng của họ có thể sử dụng ít năng lượng hơn SSD. Công ty đã thực hiện một số thử nghiệm và phát hiện ra rằng ổ cứng của họ có thể sử dụng tới 60% năng lượng ít hơn SSD khi tải dữ liệu.

Texas Instruments ra mắt chip siêu nhỏ, bé bằng hạt tiêu

Texas Instruments (TI) vừa giới thiệu một vi điều khiển (MCU) mới, được mệnh danh là "MCU nhỏ nhất thế giới" tại triển lãm Embedded World 2025. Chiếc chip MSPM0C1104 siêu nhỏ này chỉ có kích thước 1.38 mm², tương đương một hạt tiêu đen.

Rò rỉ thông tin chip Snapdragon X2 thế hệ mới: 18 nhân, RAM 48GB và SSD 1TB?

Thông tin rò rỉ từ Đức cho thấy Qualcomm đang phát triển chip Snapdragon X2 thế hệ mới cho PC Windows với nhiều cải tiến đáng kể. Điểm đáng chú ý nhất là số lượng nhân xử lý có thể lên tới 18 nhân Orion V3, tăng 50% so với thế hệ chip hiện tại. Điều này hứa hẹn mang lại hiệu năng vượt trội, đặc biệt là cho phân khúc laptop cao cấp và máy tính để bàn.

34 lỗ hổng nghiêm trọng trong trình điều khiển Windows, cho phép kẻ tấn công chiếm quyền điều khiển hoàn toàn thiết bị

Takahiro Hauryama, một nhà nghiên cứu bảo mật cấp cao tại VMware Carbon Black, đã phát hiện và ghi nhận 34 lỗ hổng trong trình điều khiển cho các thiết bị cũ trong Windows Driver Model (WDM) và Windows Driver Framework (WDF). Một số trong những lỗ hổng này thuộc về, nhưng không giới hạn ở, AMD, Intel, Nvidia, Dell và Phoenix Technologies.

Western Digital chia tách mảng kinh doanh bộ nhớ flash và ổ cứng thành hai công ty độc lập

Western Digital hôm nay đã thông báo rằng họ kế hoạch chia tách mảng kinh doanh bộ nhớ flash và ổ cứng thành hai công ty độc lập. Thông tin này được đưa ra chỉ vài ngày sau khi một đề xuất sáp nhập với đối thủ cạnh tranh về bộ nhớ Kioxia thất bại vào cuối tuần trước. Theo thông cáo báo chí của WD, động thái này sẽ "giúp mỗi thương hiệu thực hiện phát triển công nghệ và sản phẩm sáng tạo" và "tận dụng các cơ hội tăng trưởng độc đáo". Tuy nhiên, theo Reuters, nhà đầu tư hoạt động Elliott Management (được cho là nắm giữ gần 1 tỷ USD cổ phần của công ty) cũng đã gây sức ép mạnh mẽ để chia tách.

Thỏa thuận sáp nhập giữa Western Digital và Kioxia bị hủy bỏ vì sự phản đối của SK Hynix

Western Digital và Kioxia, nắm giữ vị trí thứ tư và thứ hai trên thị trường bộ nhớ flash NAND toàn cầu, đã lên kế hoạch hợp nhất các hoạt động NAND của họ dưới một mái nhà để tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới và nâng cao khả năng cạnh tranh và lợi nhuận. Việc sáp nhập được coi là một động thái chiến lược để đối đầu với vị thế thống lĩnh thị trường của Samsung Electronics bằng cách tận dụng các nguồn lực và năng lực kết hợp của hai công ty, đồng thời loại bỏ sự cạnh tranh giữa các công ty đồng sở hữu cơ sở sản xuất và cùng phát triển bộ nhớ flash NAND.

Kioxia và Western Digital sắp hoàn tất việc sáp nhập, tạo ra gã khổng lồ bộ nhớ flash

Kioxia và Western Digital Corp. đang trên đà hoàn tất việc sáp nhập, dự kiến sẽ được thống nhất sớm nhất là trong tháng này, theo Kyodo News. Sự hợp nhất này sẽ đưa công ty trở thành nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND lớn nhất thế giới. Cấu trúc sở hữu được đề xuất của tập đoàn mới đã được lên kế hoạch tỉ mỉ. Các cổ đông của Western Digital dự kiến sẽ nắm giữ đa số cổ phần, vượt hơn 50%, trong khi phần sở hữu còn lại sẽ được phân bổ cho các cổ đông của Kioxia, bao gồm một khoản đóng góp đáng kể từ Toshiba Corp. Ban đầu, các vị trí lãnh đạo và điều hành dự kiến sẽ do nhóm của Kioxia thống trị, nhưng điều đó dự kiến sẽ thay đổi theo thời gian.

Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

Samsung Đẩy Mạnh Phát Triển Công Nghệ V-NAND Thế Hệ Thứ 9 Với Hơn 300 Lớp

Là nhà cung cấp bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới, Samsung có những kế hoạch lớn cho sự phát triển của công nghệ V-NAND (công nghệ 3D NAND của công ty) và đã chia sẻ một số thông tin trong tuần này. Công ty xác nhận rằng họ đang trên đà sản xuất bộ nhớ V-NAND thế hệ thứ 9 với hơn 300 lớp vào năm 2024 và cho biết rằng nó sẽ có số lớp hoạt động cao nhất trong ngành.

UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

Huawei sử dụng chip và bộ nhớ SK hynix trong Mate 60 Pro bất chấp lệnh cấm của Mỹ

Một bài teardown của điện thoại thông minh Mate 60 Pro mới ra mắt của Huawei đã tiết lộ việc sử dụng chip Kirin 9000s, một chip 7nm bí ẩn được sản xuất tại SMIC. Và hiện nay một bí ẩn mới đã nảy sinh - làm thế nào Huawei có được bộ nhớ và bộ nhớ flash mang nhãn hiệu SK hynix giữa lệnh cấm xuất khẩu của Hoa Kỳ?

Ổ cứng (HDD) có thể sử dụng ít năng lượng hơn SSD

Công ty Seagate đã tuyên bố rằng ổ cứng của họ có thể sử dụng ít năng lượng hơn SSD. Công ty đã thực hiện một số thử nghiệm và phát hiện ra rằng ổ cứng của họ có thể sử dụng tới 60% năng lượng ít hơn SSD khi tải dữ liệu.